hewlett-packard-enterprise-32gb-1x32gb-dual-rank-x4-ddr4-2666-cas-19-19-19-registered-module-de-memoire-32-go-1-x-2666-mhz-ecc-1

Hewlett Packard Enterprise 32GB (1x32GB) Dual Rank x4 DDR4-2666 CAS-19-19-19 Registered module de mémoire 32 Go 1 x 2666 MHz ECC

hewlett-packard-enterprise-32gb-1x32gb-dual-rank-x4-ddr4-2666-cas-19-19-19-registered-module-de-memoire-32-go-1-x-2666-mhz-ecc-1
  • hewlett-packard-enterprise-32gb-1x32gb-dual-rank-x4-ddr4-2666-cas-19-19-19-registered-module-de-memoire-32-go-1-x-2666-mhz-ecc-1
  • hewlett-packard-enterprise-32gb-1x32gb-dual-rank-x4-ddr4-2666-cas-19-19-19-registered-module-de-memoire-32-go-1-x-2666-mhz-ecc-2
Produit original
Ref. 815100-B21

Ce produit est en fin de série et n'est plus distribué par le constructeur, mais nous pouvons faire une recherche afin de vous donner un prix et un délai.

Contactez-nous
Hewlett Packard Enterprise 32GB Dual Rank x4 DDR4-2666 CAS-19-19-19 Registered, 32 Go, 1 x 32 Go, DDR4, 2666 MHz, 288-pin DIMM
Spécifications
Hewlett Packard Enterprise 32GB (1x32GB) Dual Rank x4 DDR4-2666 CAS-19-19-19 Registered. composant pour: PC/serveur, Mémoire interne: 32 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 32 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Support de mémoire: 288-pin DIMM, Latence CAS: 19, ECC
Spécifications Techniques
Mémoire interne
32 Go
Largeur
133,3 mm
Hauteur
31 mm
Type de mémoire interne
DDR4
Fréquence de la mémoire
2666 MHz
Support de mémoire
288-pin DIMM
composant pour
PC/serveur
Type de mémoire mise en cache
Registered (buffered)
Latence CAS
19
Niveau de mémoire
2
Mémoire de tension
1.2 V
Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
1 x 32 Go
ECC
Oui
Poids et dimensions
Largeur 133,3 mm
Hauteur 31 mm
Caractéristiques
Mémoire interne 32 Go
Disposition de la mémoire (modules x dimensions) 1 x 32 Go
Type de mémoire interne DDR4
Fréquence de la mémoire 2666 MHz
composant pour PC/serveur
Support de mémoire 288-pin DIMM
ECC Oui
Type de mémoire mise en cache Registered (buffered)
Latence CAS 19
Niveau de mémoire 2
Mémoire de tension 1.2 V